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参数资料
| 型号： | GS8161E36BGD-200IV |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 6/35页 |
| 文件大小： | 779K |
| 代理商： | GS8161E36BGD-200IV |
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GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
6/35
2004, GSI Technology
165 Bump BGA—x32 Common I/O—Top View
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11 x 15 Bump BGA—13mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
(Package D)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| GS8161E36BGD-250IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 5.5NS/3NS 165FBGA - Trays |
| GS8161E36BGD-250V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 5.5NS/3NS 165FBGA - Trays |
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