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参数资料
| 型号： | GS8161E36BGT-150V |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件页数： | 3/35页 |
| 文件大小： | 779K |
| 代理商： | GS8161E36BGT-150V |
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GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
3/35
2004, GSI Technology
GS8161E36BT-xxxV 100-Pin TQFP Pinout
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| GS8161E36BGT-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 100TQFP - Trays |
| GS8161E36BGT-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 5.5NS/2.5NS 100TQFP - Trays |
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