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参数资料
| 型号： | GS8162Z18BD-250I |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| 中文描述： | 1M X 18 ZBT SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 6/34页 |
| 文件大小： | 788K |
| 代理商： | GS8162Z18BD-250I |
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GS8162Z18/36B(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04a 2/2006
6/34
2004, GSI Technology
GS8162Z18/36 119-Bump and 165-Bump BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
CKE
W
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ZZ
FT
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
Clock Enable; active low
Write Enable; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active high
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
FLXDrive Output Impedance Control (Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low
Drive])
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
ZQ
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
V
DD
V
SS
V
DDQ
I
Scan Test Clock
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
BPR1999.05.18
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8162Z18BGB-150 | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
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