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参数资料
| 型号： | GS8162Z18BGB-200 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| 中文描述： | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 |
| 文件页数： | 18/34页 |
| 文件大小： | 788K |
| 代理商： | GS8162Z18BGB-200 |
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Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-200
-150
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
305
40
315
40
255
30
265
30
205
20
215
20
mA
Flow Through
I
DD
I
DDQ
235
20
245
20
205
15
215
15
190
15
200
15
mA
(x18)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
275
20
285
20
230
15
240
15
185
15
195
15
mA
Flow Through
I
DD
I
DDQ
215
10
225
10
190
10
200
10
175
10
185
10
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
I
SB
40
50
40
50
40
50
mA
Flow Through
I
SB
40
50
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
85
90
75
80
60
65
mA
Flow Through
I
DD
60
65
50
55
50
55
mA
GS8162Z18/36B(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04a 2/2006
18/34
2004, GSI Technology
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD3
, V
DD2
, V
DDQ3
, and V
DDQ2
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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