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参数资料
| 型号： | GS8162Z18D-150 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| 中文描述： | 1M X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件页数： | 3/38页 |
| 文件大小： | 838K |
| 代理商： | GS8162Z18D-150 |
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Tex8adx6prsi hsseiiainaeNtRcmmne o NwDsg.
GS8162Z18(B/D)/GS8162Z36(B/D)/GS8162Z72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.21 11/2004
3/38
1999, GSI Technology
GS8162Z72 BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
An
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
DQ
E
DQ
F
DQ
G
DQ
H
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
B
A
, B
B
, B
C
,B
D,
B
E
, B
F
,
B
G
,B
H
NC
CK
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D,
DQ
E
,
DQ
F
, DQ
G
, DQ
H
I/Os; active low
—
I
No Connect
Clock Input Signal; active high
W
I
Write Enable. Writes all enabled bytes; active low
E
1,
E
3
I
Chip Enable; active low
E
2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
MCH
I
Must Connect High
MCL
Must Connect Low
PE
I
Parity Bit Enable; active low (High = x16/32 Mode, Low = x18/36 Mode)
ADV
I
Burst Address Counter Advance Enable; active high
ZQ
I
FLXDrive Output Impedance Control
(Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low Drive])
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8162Z18D-150I | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
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参数描述 |
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