参数资料
型号: GS8322V36GB-200I
厂商: GSI TECHNOLOGY
元件分类: DRAM
英文描述: 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述: 1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封装: 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, FPBGA-119
文件页数: 8/42页
文件大小: 1038K
代理商: GS8322V36GB-200I
Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
8/42
2003, GSI Technology
119-Bump BGA—x36 Common I/O—Top View
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7 x 17 Bump BGA—14 x 22 mm
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Body—1.27 mm Bump Pitch
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