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参数资料
| 型号： | GS8322V36GE-200I |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 11/42页 |
| 文件大小： | 1038K |
| 代理商： | GS8322V36GE-200I |
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Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
11/42
2003, GSI Technology
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
Counter
Load
D
Q
D
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Register
Register
D
Q
Register
D
Q
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D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
R
A0–An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
FT
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1–DQx9
36
36
Note: Only x36 version shown for simplicity.
SCD
36
36
B
B
B
C
B
D
GS8322V18/36 Block Diagram
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PDF描述 |
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