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参数资料
| 型号： | GS8322V72C-250 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 72 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA209 |
| 封装： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
| 文件页数： | 15/42页 |
| 文件大小： | 1038K |
| 代理商： | GS8322V72C-250 |
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First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
S
S
CR
R
CW
CR
CR
Notes:
1.
2.
The diagram shows only supported (tested) synchronous state transitions. The diagram presumes G is tied low.
The upper portion of the diagram assumes active use of only the Enable (E1) and Write (B
A
, B
B
, B
C
, B
D
, BW, and GW) control inputs, and
that ADSP is tied high and ADSC is tied low.
The upper and lower portions of the diagram together assume active use of only the Enable, Write, and ADSC control inputs and
assumes ADSP is tied high and ADV is tied low.
3.
Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
15/42
2003, GSI Technology
Simplified State Diagram
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8322V72C-250I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
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相关代理商/技术参数 |
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