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参数资料
| 型号： | GS864218B-200V |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封装： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 |
| 文件页数： | 4/35页 |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | GS864218B-200V |
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Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
4/35
2004, GSI Technology
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
GS864272C-xxxV 209-Bump BGA Pin Description (Continued)
Symbol
Type
Description
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PDF描述 |
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| GS864218B-250V | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218B-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 5.5NS/2.3NS 119FBGA - Trays |
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