- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录385329 > GS864218GB-167IV (GSI TECHNOLOGY) 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs PDF资料下载
参数资料
| 型号： | GS864218GB-167IV |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| 封装： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 |
| 文件页数： | 17/35页 |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | GS864218GB-167IV |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页当前第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页
Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
17/35
2004, GSI Technology
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-200
-167
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x72)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
SB
460
60
480
60
385
50
405
50
340
40
360
40
mA
Flow
Through
330
40
340
40
285
30
295
30
270
30
280
30
mA
(x32/
x36)
Pipeline
360
50
380
50
310
40
330
40
270
35
290
35
mA
Flow
Through
255
25
275
25
230
20
250
20
220
20
240
20
mA
(x18)
Pipeline
315
25
335
25
270
20
290
20
240
20
260
20
mA
Flow
Through
230
15
250
15
205
15
225
15
195
15
215
15
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
100
120
100
120
100
120
mA
Flow
Through
I
SB
100
120
100
120
100
120
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
140
155
130
146
125
140
mA
Flow
Through
I
DD
125
140
120
135
120
135
mA
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD
and V
DDQ
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS864218GB-167V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218GB-200IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218GB-200V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218GB-250IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218GB-250V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS864218GB-167V | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218GB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS864218GB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS864218GB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS864218GB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。