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参数资料
| 型号： | GS8642Z72C-300I |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| 中文描述： | 1M X 72 ZBT SRAM, 5.5 ns, PBGA209 |
| 封装： | 22 X 14 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
| 文件页数： | 19/34页 |
| 文件大小： | 872K |
| 代理商： | GS8642Z72C-300I |
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Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-300
-250
-200
-167
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x72)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
DD
I
DDQ
I
SB
520
70
540
70
460
60
480
60
385
50
405
50
340
40
360
40
mA
Flow
Through
375
50
385
50
330
40
340
40
285
30
295
30
270
30
280
30
mA
(x32/
x36)
Pipeline
420
60
440
60
360
50
380
50
310
40
330
40
270
35
290
35
mA
Flow
Through
300
30
320
30
255
25
275
25
230
20
250
20
220
20
240
20
mA
(x18)
Pipeline
370
30
390
30
315
25
335
25
270
20
290
20
240
20
260
20
mA
Flow
Through
270
15
290
15
230
15
250
15
205
15
225
15
195
15
215
15
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
100
120
100
120
100
120
100
120
mA
Flow
Through
I
SB
100
120
100
120
100
120
100
120
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
150
165
140
155
130
146
125
140
mA
Flow
Through
I
DD
135
150
125
140
120
135
120
135
mA
Product Preview
GS8642Z18(B)/GS8642Z36(B)/GS8642Z72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 5/2005
19/34
2004, GSI Technology
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD3
, V
DD2
, V
DDQ3
, and V
DDQ2
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| GS8642Z72GC-200 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
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