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参数资料
| 型号： | GS8662R09E-250I |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| 中文描述： | 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 MM X 17 MM, 1MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 5/37页 |
| 文件大小： | 942K |
| 代理商： | GS8662R09E-250I |
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8M x 8 SigmaCIO DDR-II SRAM—Top View
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R
TDO
TCK
SA
SA
SA
C
SA
SA
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm
2
Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1.
Unlike the x36 and x18 versions of this device, the x8 and x9 versions do not give the user access to A0 and A1. SA0 and SA1 are set to
0 at the beginning of each access.
NW0 controls writes to DQ0:DQ3; NW1 controls writes to DQ4:DQ7
MCL = Must Connect Low
2.
3.
Preliminary
GS8662R08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
5/37
2005, GSI Technology
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662R09E-300 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-300I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-333 | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-333I | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662S08E-333I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS8662R09E-300 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-300I | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-333 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-333I | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09GE-167 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
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