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参数资料
| 型号： | GS8662R36E-200 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| 中文描述： | 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 MM X 17 MM, 1MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 2/37页 |
| 文件大小： | 942K |
| 代理商： | GS8662R36E-200 |
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2M x 36 SigmaCIO DDR-II SRAM—Top View
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10
11
A
CQ
MCL/SA
(144Mb)
SA
R/W
BW2
K
BW1
LD
SA
SA
CQ
B
NC
DQ27
DQ18
SA
BW3
K
BW0
SA
NC
NC
DQ8
C
NC
NC
DQ28
V
SS
SA
SA0
SA1
V
SS
NC
DQ17
DQ7
D
NC
DQ29
DQ19
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
NC
DQ16
E
NC
NC
DQ20
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
DQ15
DQ6
F
NC
DQ30
DQ21
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
NC
DQ5
G
NC
DQ31
DQ22
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
NC
DQ14
H
Doff
V
REF
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
REF
ZQ
J
NC
NC
DQ32
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
DQ13
DQ4
K
NC
NC
DQ23
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
DQ12
DQ3
L
NC
DQ33
DQ24
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
NC
DQ2
M
NC
NC
DQ34
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
DQ11
DQ1
N
NC
DQ35
DQ25
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
NC
NC
DQ10
P
NC
NC
DQ26
SA
SA
C
SA
SA
NC
DQ9
DQ0
R
TDO
TCK
SA
SA
SA
C
SA
SA
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm
2
Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1.
BW0 controls writes to DQ0:DQ8; BW1 controls writes to DQ9:DQ17; BW2 controls writes to DQ18:DQ26; BW3 controls writes to
DQ27:DQ35
MCL = Must Connect Low
2.
Preliminary
GS8662R08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
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2005, GSI Technology
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PDF描述 |
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