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参数资料
| 型号： | GS88136BGT-150IV |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件页数： | 28/36页 |
| 文件大小： | 776K |
| 代理商： | GS88136BGT-150IV |
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JTAG TAP Instruction Set Summary
Instruction
Code
Description
Notes
EXTEST
000
Places the Boundary Scan Register between TDI and TDO.
1
IDCODE
001
Preloads ID Register and places it between TDI and TDO.
1, 2
SAMPLE-Z
010
Captures I/O ring contents. Places the Boundary Scan Register between TDI and
TDO.
Forces all RAM output drivers to High-Z.
Do not use this instruction; Reserved for Future Use.
Replicates BYPASS instruction. Places Bypass Register between TDI and TDO.
1
RFU
011
1
SAMPLE/
PRELOAD
100
Captures I/O ring contents. Places the Boundary Scan Register between TDI and
TDO.
1
GSI
101
GSI private instruction.
Do not use this instruction; Reserved for Future Use.
Replicates BYPASS instruction. Places Bypass Register between TDI and TDO.
1
RFU
110
1
BYPASS
111
Places Bypass Register between TDI and TDO.
1
Notes:
1.
2.
Instruction codes expressed in binary, MSB on left, LSB on right.
Default instruction automatically loaded at power-up and in test-logic-reset state.
GS88118/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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2006, GSI Technology
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88136BGT-150V | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BGT-200IV | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88136BGT-200V | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS88136BGT-250V | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS88136BGT-150V | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS88136BGT-200V | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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