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参数资料
| 型号： | GS88136BGT-150V |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件页数： | 5/36页 |
| 文件大小： | 776K |
| 代理商： | GS88136BGT-150V |
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TQFP Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
NC
BW
B
A
, B
B,
B
C
, B
D
CK
GW
E
1
E
2
G
ADV
ADSP, ADSC
ZZ
TMS
TDI
TDO
TCK
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
O
I
I
I
No Connect
Byte Write
—
Writes all enabled bytes; active low
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low
Clock Input Signal; active high
Global Write Enable
—
Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep Mode control; active high
Scan Test Mode Select
Scan Test Data In
Scan Test Data Out
Scan Test Clock
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
GS88118/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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2006, GSI Technology
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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