- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录385340 > GS881E18AD-166T (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs PDF资料下载
参数资料
| 型号： | GS881E18AD-166T |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件页数： | 22/37页 |
| 文件大小： | 662K |
| 代理商： | GS881E18AD-166T |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页当前第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页
GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
14/29
2001, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
FT Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18AD-200 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS881E18AD-200 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200I | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200IT | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-200T | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-225 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。