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参数资料
| 型号： | GS881E32AD-250T |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 32 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件页数： | 12/37页 |
| 文件大小： | 662K |
| 代理商： | GS881E32AD-250T |
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GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
4/29
2001, GSI Technology
TQFP Pin Description
Symbol
Type
Description
A
0
, A
1
I
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
A
n
I
Address Inputs
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
I/O
Data Input and Output pins
NC
—
No Connect
BW
I
Byte Write
—
Writes all enabled bytes; active low
B
A
, B
B,
B
C
, B
D
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low
CK
I
Clock Input Signal; active high
GW
I
Global Write Enable
—
Writes all bytes; active low
E
1
I
Chip Enable; active low
E
2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| GS881E36AD-133T | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E36AD-150 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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