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参数资料
| 型号： | GS881E36AT-200T |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 37/37页 |
| 文件大小： | 662K |
| 代理商： | GS881E36AT-200T |
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GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
29/29
2001, GSI Technology
9Mb Sync SRAM Datasheet Revision History
DS/DateRev. Code: Old;
New
Types of Changes
Format or Content
Page;Revisions;Reason
881E18A_r1
Creation of new datasheet
881E18A_r1;
881E18A_r1_01
Content
Updated AC Characteristics table
Updated FT power numbers
Updated Mb references from 8Mb to 9Mb
Removed ByteSafe references
Changed DP pin to NC
Updated ZZ recovery time diagram
Added E2 to pinout (pin 97) and pin description table
Updated AC Test Conditions table and removed Output Load
2 diagram
Removed Preliminary banner
Removed pin locations from pin description table
Removed BSR table
Updated format
Updated timing diagrams
Updated mechanical drawings
881E18A_r1_01;
881E18A_r1_02
Content
881E18A_r1_02;
881E18A_r1_03
Format/Content
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| GS881E36AT-250 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GS881E36AT-225 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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