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参数资料
| 型号： | GS88237BD-200V |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 26/28页 |
| 文件大小： | 925K |
| 代理商： | GS88237BD-200V |
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GS88237BB/D-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 12/2008
7/28
2003, GSI Technology
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
BA
BB
BC
BD
Notes
Read
H
X
1
Write No Bytes
H
L
H
1
Write byte a
H
L
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
L
X
Notes:
1. All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs, BA, BB, BC and/or BD.
2. Byte Write Enable inputs BA, BB, BC and/or BD may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3. All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4. Bytes “C” and “D” are only available on the x32 and x36 versions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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