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参数资料
| 型号： | GSBC807 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 进步党外延平面晶体管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | GSBC807 |
1/2
ISSUED DATE :2005/06/08
REVISED DATE :
G
G S
S B
B C
C 880077
P
P N
N P
P E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L P
P L
L A
A N
N A
A R
R T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSBC807 is designed for switching and AF amplifier application, suitable for driver storages and low power output storages.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
0.80
1.10
L1
0.42 REF.
A1
0
0.10
L
0.15
0.35
A2
0.80
1.00
b
0.25
0.40
D
1.80
2.20
c
0.10
0.25
E
1.15
1.35
e
0.65 REF.
HE
1.80
2.40
Q1
0.15 BSC.
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
-50
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
-45
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
IC
800
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
-50
-
V
IC=-100uA
BVCEO
-45
-
V
IC=-10mA
BVCES
-50
-
V
IC=-100uA
BVEBO
-5
-
V
IE=-100uA
ICES
-
-100
nA
VCE=-25V
IEBO
-
-100
nA
VEB=-4V
*VCE(sat)
-
-700
mV
IC=-500mA, IB=-50mA
*VBE(on)
-
-1.2
V
VCE=-1V, IC=-300mA
*hFE
100
-
630
VCE=-1V, IC=-100mA
fT
-
100
-
MHz
VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz
Cob
-
12
pF
VCB=-10V, f=1MHz, IE=0A
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
Classification Of hFE
Rank
9FA
9FB
9FC
Range
100 - 250
160 - 400
250 - 630
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSBC817 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSBC846 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GSBC817 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSBC846 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSBC847 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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