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参数资料
| 型号： | GSC1815 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | GSC1815 |
CORPORATION
GSC1815
Page: 1/2
ISSUED DATE :2004/07/09
REVISED DATE :2004/11/29B
L
e 1
b
e
S E A T IN G
P L A N E
b 1
A
D
C
S 1
E
GSC1815
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L P
P L
L A
A N
N A
A R
R T
T A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSC1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose applications.
Features
*Complementary to GSA1015
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
4.45
4.7
D
4.44
4.7
S1
1.02
-
E
3.30
3.81
b
0.36
0.51
L
12.70
-
b1
0.36
0.76
e1
1.150
1.390
C
0.36
0.51
e
2.42
2.66
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
60
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
150
mA
Base Current
IB
50
mA
Total Power Dissipation
PD
400
mW
Characteristics at Ta = 25
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
60
-
V
IC=100uA
BVCEO
50
-
V
IC=1mA
BVEBO
5
-
V
IE=10uA
ICBO
-
100
nA
VCE=60V, IE = 0
IEBO
-
100
nA
VEB=5V, Ic = 0
*VCE(sat)
-
0.1
0.25
V
IC=100mA, IB=10mA
*VBE(sat)
-
1.0
V
IC=100mA, IB=10mA
hFE1
70
-
700
VCE=6V, IC=2mA
hFE2
25
-
VCE=6V, IC=150mA
fT
80
-
MHz
VCE=10V, IC=1mA, f=100MHz
Cob
-
3.0
pF
VCB=10V, IE = 0,f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380us, Duty Cycle 2%
Classification Of hFE1
Rank
O
Y
GR
L
Range
70-140
120-240
200-400
350-700
TO-92
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