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参数资料
| 型号： | GSC9435M |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 298K |
| 代理商： | GSC9435M |
GSC9435M
Page: 2/5
ISSUED DATE :2005/09/12
REVISED DATE :2006/06/01B
Electrical Characteristics (Tj = 25 :::: unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
-30
-
V
VGS=0, ID=-250uA
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
-1.0
-
-2.5
V
VDS=VGS, ID=-250uA
Forward Transconductance2
gfs
-
5
-
S
VDS=-5V, ID=-5.3A
Gate-Source Leakage Current
IGSS
-
±100
nA
VGS= ±20V
Drain-Source Leakage Current
IDSS
-
-1
uA
VDS=-24V, VGS=0
-
55
VGS=-10V, ID=-5.3A
Static Drain-Source On-Resistance2
RDS(ON)
-
90
m
VGS=-4.5V, ID=-4.2A
Total Gate Charge2
Qg
-
11.7
-
Gate-Source Charge
Qgs
-
2.1
-
Gate-Drain (“Miller”) Change
Qgd
-
2.9
-
nC
ID=-5.3A
VDS=-15V
VGS=-10V
Turn-on Delay Time2
Td(on)
-
9
-
Rise Time
Tr
-
10
-
Turn-off Delay Time
Td(off)
-
37
-
Fall Time
Tf
-
23
-
ns
VDS=-15V
ID=-1A
VGS=-10V
RG=6
RD=15
Input Capacitance
Ciss
-
582
-
Output Capacitance
Coss
-
125
-
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
86
-
pF
VGS=0V
VDS=-15V
f=1.0MHz
Source-Drain Diode
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Forward On Voltage2
VSD
-
-0.84
-1.2
V
IS=-1.7A, VGS=0V
Notes: 1. Surface Mounted on FR4 Board, t 10sec.
2. Pulse width 300us, duty cycle 2%.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| GSC9478 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC9563 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC9575 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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