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参数资料
| 型号： | GSC9575 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | GSC9575 |
GSC9575
Page: 3/4
ISSUED DATE :2005/03/18
REVISED DATE :2007/01/15C
Characteristics Curve
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristics of
Reverse Diode
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GSC9585 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC9620 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC9685 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC9985 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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