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参数资料
| 型号： | GSMBZ5251B |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
| 中文描述： | 在250μA低电流操作，低反向漏，低噪声稳压二极管（250μA工作电流，小反向漏电流，低噪声，齐纳二极管） |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 835K |
| 代理商： | GSMBZ5251B |
2/9
ISSUED DATE :2004/11/15
REVISED DATE :
Test
Current
Zener Voltage
Vz(V)
ZZK
IZ=0.25mA
ZZT
IZ=IZT
Max. Reverse
Current
Device
Marking
Code
IZT(mA)
Min
Nominal
Max
IR(uA)
@VR(V)
GSMBZ5241B
8R
20
10.450
11
11.550
600
22
2.0
8.4
GSMBZ5242B
8S
20
11.400
12
12.600
600
30
1.0
9.1
GSMBZ5243B
8T
9.5
12.350
13
13.650
600
13
0.5
9.9
GSMBZ5244B
8U
9.0
13.300
14
14.700
600
15
0.1
10
GSMBZ5245B
8V
8.5
14.250
15
15.750
600
16
0.1
11
GSMBZ5246B
8W
7.8
15.200
16
16.800
600
17
0.1
12
GSMBZ5247B
8X
7.4
16.150
17
17.850
600
19
0.1
13
GSMBZ5248B
8Y
7.0
17.100
18
18.900
600
21
0.1
14
GSMBZ5249B
8Z
6.6
18.050
19
19.950
600
23
0.1
14
GSMBZ5250B
81A
6.2
19.000
20
21.000
600
25
0.1
15
GSMBZ5251B
81B
5.6
20.900
22
23.100
600
29
0.1
17
GSMBZ5252B
81C
5.2
22.800
24
25.200
600
33
0.1
18
GSMBZ5253B
81D
5.0
23.750
25
26.250
600
35
0.1
19
GSMBZ5254B
81E
4.6
25.650
27
28.350
600
41
0.1
21
GSMBZ5255B
81F
4.5
26.600
28
29.400
600
44
0.1
21
GSMBZ5256B
81G
4.2
28.500
30
31.500
600
49
0.1
23
GSMBZ5257B
81H
3.8
31.350
33
34.650
700
58
0.1
25
GSMBZ5258B
81J
3.4
34.200
36
37.800
700
70
0.1
27
GSMBZ5259B
81K
3.2
37.050
39
40.950
800
80
0.1
30
GSMBZ5260B
81L
3.0
40.850
43
45.150
900
93
0.1
33
GSMBZ5261B
81M
2.7
44.650
47
49.350
1000
105
0.1
36
GSMBZ5262B
81N
2.5
48.450
51
53.550
1100
125
0.1
39
GSMBZ5263B
81P
2.2
53.200
56
58.800
1300
150
0.1
43
GSMBZ5264B
81Q
2.1
57.000
60
63.000
1400
170
0.1
46
GSMBZ5265B
81R
2.0
58.900
62
65.100
1400
185
0.1
47
GSMBZ5266B
81S
1.8
64.600
68
71.400
1600
230
0.1
52
GSMBZ5267B
81T
1.7
71.250
75
78.750
1700
270
0.1
56
GSMBZ5268B
81U
1.5
77.900
82
86.100
2000
330
0.1
62
GSMBZ5269B
81V
1.4
82.650
87
91.350
2200
370
0.1
68
GSMBZ5270B
81W
1.4
86.450
91
95.550
2300
400
0.1
69
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