| 型号: | GT8G133 |
| 元件分类: | 开关 |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数: | 1/7页 |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | GT8G133 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GN1L4M-T2 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| GS8550TD/E6 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| GT20J301 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| GN1A4ZM68 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| GN1L3ZM37-T2 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GT8G133(TE12L,Q) | 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| GT8G134 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications |
| GT8G134(TE12L,Q) | 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| GT8G136 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications |
| GT8G151,LQ(O | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:IGBT N-ch 400V 150A 2.5V TSON8 |