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参数资料
| 型号： | GWM120-0075X1-SL |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT |
| 标准包装： | 28 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.9 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 18-SMD，非标准型 |
| 供应商设备封装： | SMD |
| 包装： | 管件 |
GWM 120-0075X1
70
50
65
V R = 30 V
T VJ = 125°C
45
40
V R = 30 V
T VJ = 125°C
125 A
80 A
35
40 A
60
55
40 A
80A
125 A
30
25
20
15
50
400
600
800
1000
1200
1400
10
200
400
600
800
1000
1200
1400
-di F /dt [A/μs]
-di F /dt [A/μs]
1.6
Fig. 13 Reverse recovery time t rr
of the body diode vs. di/dt
250
Fig. 14
Reverse recovery current I RM
of the body diode vs. di/dt
1.4
1.2
V R = 30 V
T VJ = 125°C
125 A
80A
200
150
1.0
0.8
0.6
40 A
100
50
T J = -25°C
25°C
125°C
150°C
0.4
400
600
800
1000
1200
1400
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-di F /dt [A/μs]
V SD [V]
V GS
Fig. 15
Reverse recovery charge Q rr
of the body diode vs. di/dt
0.9 V GS
1.4
1.2
Fig. 16 Source current I S vs.
source drain voltage V SD (body diode)
V DS
I D
0.1 V GS
0.9 I D
0.1 I D
0.9 I D
0.1 I D
t
t
1.0
0.8
0.6
0.4
t d(on)
t r
t d(off)
t f
0.2
0.0
1
10
100
GWM 120-0075X1
1000 10000
Time [ms]
Fig. 17
Definition of switching times
Fig. 18 Typ. therm. impedance junction
to heatsink Z thJC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
20110407d
6-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C20F.0002 | MOD PWR INLET MED/FILTER QC SCRW |
| ALD110808APCL | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP |
| WR12AT | SWITCH ROCKER SPDT 15A 125V |
| B12JV1 | SWITCH TOGGLE SPDT BAT VERT |
| DC22.1121.111 | POWER ENTRY MOD W FILTER 1A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GWM120-0075X1-SL SAM | 功能描述:分立半导体模块 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| GWM120-0075X1-SLSAM | 功能描述:MOSFET 3 Phase Full Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GWM120-0075X1-SMD | 功能描述:分立半导体模块 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| GWM120-0075X1-SMD SAM | 功能描述:分立半导体模块 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| GWM120-0075X1-SMDSAM | 功能描述:MOSFET 3 Phase Full Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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