- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18153 > GWM160-0055X1-SL (IXYS)IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | GWM160-0055X1-SL |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT |
| 标准包装： | 28 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 17-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | SMD |
| 包装： | 管件 |
GWM 160-0055X1
12
200
10
I D = 160 A
T J = 25°C
V DS = 12 V
180
160
T J = 175°C
8
140
6
4
2
V DS = 40 V
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Q G [nC]
Fig.7 Gate charge characteristic
T C [°C]
Fig. 8 Drain current I D vs. case temperature T C
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
V DS = 24 V
V GS = +10/0 V
R G = 39 Ω
T J = 125°C
t r
t d(on)
300
250
200
150
100
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V DS = 24 V
V GS = +10/0 V
R G = 39 Ω
T J = 125°C
t d(off)
1200
1000
800
600
400
0.05
E on
E rec(off) x10
50
0.2
E off
t f
200
0.00
0
20
40
60
80
0
100 120 140 160 180
0.0
0
20
40
60
80
0
100 120 140 160 180
I D [A]
Fig. 9 Typ. turn-on energy & switching times
vs. collector current, inductive switching
I D [A]
Fig. 10 Typ. turn-off energy & switching times
vs. collector current, inductive switching
1.4
1.2
1.0
V DS = 24 V
V GS = +10/0 V
I D = 160 A
T J = 125°C
t r
t d(on)
350
300
250
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
V DS = 24 V
V GS = +10/0 V
I D = 160 A
T J = 125°C
t d(off)
1650
1500
1350
1200
1050
0.8
200
1.2
900
0.6
0.4
150
100
1.0
0.8
0.6
E off
750
600
450
0.2
E on
E rec(off) x10
50
0.4
0.2
t f
300
150
0.0
0
20
40
60
80
100
0
120
0.0
0
20
40
60
80
100
0
120
R G [ Ω ]
R G [ Ω ]
Fig. 11 Typ. turn-on energy & switching times
vs. gate resistor, inductive switching
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
Fig. 12
Typ. turn-off energy & switching times
vs. gate resistor, inductive switching
20110307i
5-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GWM120-0075X1-SMD | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD |
| TL42WW00000 | PROCESS SEALED SUBMINI PB VERT |
| TL48WW00000 | PROCESS SEALED SUBMINI PB VERT |
| 5647AK | SWITCH TOGGLE MINI |
| FVXO-PC73B-360 | OSC 360 MHZ 3.3V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GWM160-0055X1-SL SAM | 功能描述:分立半导体模块 160 Amps 55V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| GWM160-0055X1-SLSAM | 功能描述:MOSFET 3 Phase Full Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GWM160-0055X1-SMD | 功能描述:MOSFET 160 Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GWM160-0055X1-SMD SAM | 功能描述:分立半导体模块 160 Amps 55V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| GWM160-0055X1-SMDSAM | 功能描述:MOSFET 3 Phase Full Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。