参数资料
型号: GWM70-01P2
厂商: IXYS
文件页数: 2/2页
文件大小: 0K
描述: IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL
标准包装: 20
FET 型: 6 N-沟道(3 相桥)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 70A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫欧 @ 35A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: ISOPLUS-DIL?
供应商设备封装: ISOPLUS-DIL?
包装: 管件
Component
Advanced Technical Information
GWM 70-01P2
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Thermal Response
I RMS
per pin in main current paths (L+, L-, L 1 , L 2 , L 3 )
300
A
may be additionally limited by external connections
T VJ
T stg
-40...+175
-55...+125
° C
° C
V ISOL
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz; t = 1 min
1000
V~
F C
Mounting force with clip
50 - 250
N
junction - case (typ.)
C th1 = 0.039 J/K; R th1 = 0.28 K/W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
C th2 = 0.069 J/K; R th2 = 0.57 K/W
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
R pin to chip
min.
typ.
0.6
max.
m ?
C P
coupling capacity between shorted
160
pF
pins and mounting tab in the case
Weight
typ.
25
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
S6 G6 S5 G5 S4 G4 S3 G3 S2 G2 S1 G1
L3
L2
L1
L-
L+
? 2006 IXYS All rights reserved
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