型号: | H-81-4N |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | H-81-4N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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H-81-4-N | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
H814R3BCA | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 H8 14R3 0.1% 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
H814R3BDA | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 H8 14R3 0.1% 25PPM RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
H814R3BYA | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 H8 14R3 0.1% 15PPM RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |