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参数资料
| 型号： | H-81-4N |
| 元件分类： | 分路器/合路器 |
| 英文描述： | 5 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE SPLITTER, 1.4 dB INSERTION LOSS |
| 封装： | C-19 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | H-81-4N |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H-81-4SMA | 5 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE SPLITTER, 1.4 dB INSERTION LOSS |
| H-81-4TNC | 5 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE SPLITTER, 1.4 dB INSERTION LOSS |
| H-9N | 2 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE 180 DEGREE HYBRID COUPLER, 2.5 dB INSERTION LOSS-MAX |
| H-9SMA | 2 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE 180 DEGREE HYBRID COUPLER, 2.5 dB INSERTION LOSS-MAX |
| H-9 | 2 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE 180 DEGREE HYBRID COUPLER, 2.25 dB INSERTION LOSS-MAX |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H-81-4-N | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| H814R3BCA | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 H8 14R3 0.1% 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| H814R3BDA | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 H8 14R3 0.1% 25PPM RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| H814R3BYA | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 H8 14R3 0.1% 15PPM RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
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