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参数资料
| 型号： | H11AA4SVM |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | AC INPUT/PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| 中文描述： | 1 CHANNEL AC INPUT-TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | SURFACE MOUNT PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | H11AA4SVM |
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
H11AA1M, H11AA2M, H11AA3M, H11AA4M Rev. 1.0.3
3
H11AA1M,
H11AA2M,
H11AA3M,
H11AA4M
—
A
C
Input/Phototransistor
Optocoupler
s
Electrical Characteristics (TA = 25°C Unless otherwise specied.)
Individual Component Characteristics
*Typical values at TA = 25°C
Transfer Characteristics
Isolation Characteristics
*Typical values at TA = 25°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Device
Min.
Typ.*
Max.
Unit
EMITTER
VF
Input Forward Voltage
IF = ±10mA
All
1.17
1.5
V
CJ
Capacitance
VF = 0 V, f = 1.0MHz
All
80
pF
DETECTOR
BVCEO
Breakdown Voltage
Collector to Emitter
IC = 1.0mA, IF = 0
All
30
100
V
BVCBO
Collector to Base
IC = 100A, IF = 0
All
70
120
V
BVEBO
Emitter to Base
IE = 100A, IF = 0
All
5
10
V
BVECO
Emitter to Collector
IE = 100A, IF = 0
All
7
10
V
ICEO
Leakage Current
Collector to Emitter
VCE = 10 V, IF = 0
H11AA1M
H11AA3M
H11AA4M
150
nA
H11AA2M
1
200
CCE
Capacitance Collector
to Emitter
VCE = 0, f = 1MHz
All
10
pF
CCB
Collector to Base
VCB = 0, f = 1MHz
All
80
pF
CEB
Emitter to Base
VEB = 0, f = 1MHz
All
15
pF
Symbol
Characteristics
Test Conditions
Device
Min.
Typ.*
Max.
Units
CTRCE
Current Transfer Ratio,
Collector to Emitter
IF = ±10mA, VCE = 10V
H11AA4M
100
%
H11AA3M
50
H11AA1M
20
H11AA2M
10
Current Transfer Ratio,
Symmetry
IF = ±10mA, VCE = 10V
(Figure 11)
All
.33
3.0
VCE(SAT)
Saturation Voltage,
Collector to Emitter
IF = ±10mA, ICE = 0.5mA
All
.40
V
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Units
CI-O
Package Capacitance
Input/Output
VI-O = 0, f = 1MHz
0.7
pF
VISO
Isolation Voltage
f = 60Hz, t = 1 sec.
7500
Vac(pk)
RISO
Isolation Resistance
VI-O = 500 VDC
1011
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PDF描述 |
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