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参数资料
| 型号： | H11AG1SR2M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS OUT 6SMD |
| 产品目录绘图： | Opto 6-SMD Package |
| 标准包装： | 1 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 100% @ 1mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2760 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | H11AG1SR2MDKR |
September 2009
H11AG1M
Phototransistor Optocoupler
Features
■ High efficiency low degradation liquid epitaxial IRED
■ Logic level compatible, input and output currents,
with CMOS and LS/TTL
■ High DC current transfer ratio at low input currents
(as low as 200μA)
■ Underwriters Laboratory (UL) recognized File
#E90700, Volume 2
■ IEC 60747-5-2 approved (ordering option V)
Applications
■ CMOS driven solid state reliability
■ Telephone ring detector
■ Digital logic isolation
Schematic
Description
The H11AG1M device consists of a Gallium-Aluminum-
Arsenide IRED emitting diode coupled with a silicon
phototransistor in a dual in-line package. This device
provides the unique feature of the high current transfer
ratio at both low output voltage and low input current.
This makes it ideal for use in low power logic circuits,
telecommunications equipment and portable electronics
isolation applications.
ANODE 1
6 BASE
6
1
6
CATHODE 2
N/C 3
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11AG1M Rev. 1.0.3
5 COL
4 EMITTER
6
1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 85861-3 | CONN SOCKET CONTACT TIN PCB |
| OSTHF027081 | CONN TERM BLOCK 2POS 5MM |
| OSTHX022281 | TERM BLOCK SPRING 3.50MM 2POS |
| OSTHX022081 | TERM BLOCK SPRING 3.50MM 2POS |
| OSTHX022181 | TERM BLOCK SPRING 3.50MM 2POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11AG1SR2VM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR OUTPUT, SURFACE MOUNT LEAD BEND, VDE, T&R - Tape and Reel |
| H11AG1SVM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR OUTPUT, SURFACE MOUNT LEAD BEND, VDE - Bulk |
| H11AG1TM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR OUTPUT, 0.4 INCH LEAD BEND - Bulk |
| H11AG1TVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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