参数资料
型号: H11D1M
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 5/9页
文件大小: 0K
描述: PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP
产品目录绘图: Opto 6-DIP Package
标准包装: 1,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 5300Vrms
电流传输比(最小值): 20% @ 2mA
输出电压: 300V
电流 - 输出 / 通道: 100mA
电流 - DC 正向(If): 80mA
Vce饱和(最大): 400mV
输出类型: 有基极的晶体管
安装类型: 通孔
封装/外壳: 6-DIP(0.300",7.62mm)
包装: 管件
产品目录页面: 2759 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: H11D1MFS
Typical Performance Curves
Fig. 1 LED Forward Voltage vs. Forward Current
Fig. 2 Normalized Output Characteristics
1.8
Normalized to:
1.7
10
V CE = 10V
I F = 10mA
R BE = 10 6 ?
1.6
1.5
1.4
T A = -55?C
1
I F = 50mA
I F = 10mA
T A = 25?C
1.3
1.2
1.1
T A = 25?C
0.1
I F = 5mA
1.0
T A = 100?C
0.01
1
10
100
0.1
1
10
100
10
I F – LED FORWARDCURRENT (mA)
Fig. 3 Normalized Output Current vs. LED Input Current
V CE – COLLECTOR VOLTAGE (V)
Fig. 4 Normalized Output Current vs. Temperature
1
Normalized to:
V CE = 10 V
I F = 10 mA
R BE = 10 6 ?
T A = 25?C
1
I F = 20mA
I F = 10mA
Normalized to:
V CE = 10V
I F = 10mA
R BE = 10 6 ?
T A = 25?C
I F = 5mA
0.1
0.01
0.1
1
10
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I F – LED INPUT CURRENT (mA)
Fig. 5 Normalized Dark Current vs. Ambient Temperature
T A – AMBIENT TEMPERATURE (?C)
Fig. 6 Normalized Collector-Base Current vs. Temperature
10
10000
1000
Normalized to:
V CE = 100V
R BE = 10 6 ?
T A = 25?C
V CE = 300V
9
8
7
I F = 50mA
Normalized to:
V CE = 10V
I F = 10mA
R BE = 10 6 ?
T A = 25?C
6
100
V CE = 100V
5
4
10
3
1
V CE = 50V
2
I F = 10mA
1
0.1
0
I F = 5mA
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T A – AMBIENT TEMPERATURE (?C)
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
4N38M, H11D1 M, H11D2M, H11D3M, MOC8204M Rev. 1.0.6
5
T A – AMBIENT TEMPERATURE (?C)
www.fairchildsemi.com
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H11D1S_Q 功能描述:晶体管输出光电耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11D1SD 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk