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参数资料
| 型号： | H11D1SR2M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6SMD |
| 产品目录绘图： | Opto 6-SMD Package |
| 标准包装： | 1 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 20% @ 2mA |
| 输出电压： | 300V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 80mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2760 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | H11D1SR2MDKR |
DC Electrical Characteristics (Continued) (T A = 25°C unless otherwise specified.)
Isolation Characteristics
Symbol
V ISO
R ISO
C ISO
Characteristic
Isolation Voltage
Isolation Resistance
Isolation Capacitance
Test Conditions
f = 60Hz, t = 1 sec.
V I-O = 500 VDC
f = 1MHz
Device
All
All
All
Min.
7500
11
10
Typ.*
0.2
Max.
Units
V AC PEAK
?
pF
*All Typical values at T A = 25°C
Safety and Insulation Ratings
As per IEC 60747-5-2, this optocoupler is suitable for “safe electrical insulation” only within the safety limit data.
Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of protective circuits.
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Installation Classi?cations per DIN VDE 0110/1.89
Table 1
For Rated Main Voltage < 150Vrms
For Rated Main voltage < 300Vrms
Climatic Classi?cation
Pollution Degree (DIN VDE 0110/1.89)
I-IV
I-IV
55/100/21
2
CTI
Comparative Tracking Index
175
V PR
Input to Output Test Voltage, Method b,
1594
V peak
V IORM x 1.875 = V PR , 100% Production Test
with tm = 1 sec, Partial Discharge < 5pC
Input to Output Test Voltage, Method a,
V IORM x 1.5 = V PR , Type and Sample Test
with tm = 60 sec, Partial Discharge < 5pC
1275
V peak
V IORM
V IOTM
RIO
Max. Working Insulation Voltage
Highest Allowable Over Voltage
External Creepage
External Clearance
Insulation Thickness
Insulation Resistance at Ts, V IO = 500V
850
6000
7
7
0.5
10 9
V peak
V peak
mm
mm
mm
?
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
4N38M, H11D1 M, H11D2M, H11D3M, MOC8204M Rev. 1.0.6
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SEM910DX | MODEM 900MHZ ETHERNET BRIDGE |
| 1-282858-1 | TERM BLOCK RCPT 11POS SIDE 10MM |
| 1376039-1 | 040 NK TAB CONT PRE TIN |
| 1-1776269-2 | TERMINAL BLK 12POS 5MM SIDE ENT |
| 1776261-6 | TERMINAL BLK 6POS 5MM SIDE ENT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11D1SR2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Phototrans RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D1S-TA | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 PTR 30%, 5KV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D1S-TA1 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 PTR 30%, 5KV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D1STA1-V | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
| H11D1STA-V | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
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