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参数资料
| 型号： | H11D1VM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 20% @ 2mA |
| 输出电压： | 300V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 80mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
Ordering Information
Order Entry Identi?er
Option
No option
S
SR2
T
V
TV
SV
SR2V
(Example)
H11D1M
H11D1SM
H11D1SR2M
H11D1TM
H11D1VM
H11D1TVM
H11D1SVM
H11D1SR2VM
Description
Standard Through Hole Device (50 units per tube)
Surface Mount Lead Bend
Surface Mount; Tape and Reel
0.4" Lead Spacing
VDE 0884
VDE 0884, 0.4" Lead Spacing
VDE 0884, Surface Mount
VDE 0884, Surface Mount, Tape and Reel
Marking Information
1
H11D1
2
V
X YY Q
6
De?nitions
3
4
5
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
1
2
3
4
5
6
Fairchild logo
Device number
VDE mark (Note: Only appears on parts ordered with VDE
option – See order entry table)
One digit year code, e.g., ‘7’
Two digit work week ranging from ‘01’ to ‘53’
Assembly package code
www.fairchildsemi.com
4N38M, H11D1 M, H11D2M, H11D3M, MOC8204M Rev. 1.0.6
7
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11D1W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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| H11D1-X007T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D1-X009 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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