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参数资料
| 型号： | H11D2SR2VM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6SMD |
| 产品目录绘图： | Opto 6-SMD Package |
| 标准包装： | 1 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 20% @ 2mA |
| 输出电压： | 300V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 80mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | H11D2SR2VMDKR |
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be
operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.
In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
The absolute maximum ratings are stress ratings only.
Symbol
Parameter
Device
Value
Units
TOTAL DEVICE
T STG
T OPR
T SOL
P D
Storage Temperature
Operating Temperature
Lead Solder Temperature (Wave Solder)
Total Device Power Dissipation @ T A = 25°C
Derate Above 25°C
All
All
All
All
-40 to +150
-40 to +100
260 for 10 sec
260
3.5
°C
°C
°C
mW
mW/°C
EMITTER
I F
V R
I F (pk)
P D
Forward DC Current (1)
Reverse Input Voltage (1)
Forward Current – Peak (1μs pulse, 300pps) (1)
LED Power Dissipation @ T A = 25°C (1)
Derate Above 25°C
All
All
All
All
80
6.0
3.0
150
1.41
mA
V
A
mW
mW/°C
DETECTOR
P D
V CER
Power Dissipation @ T A = 25°C
Derate linearly above 25°C
Collector to Emitter Voltage (1)
All
MOC8204M
300
4.0
400
mW
mW/°C
V
H11D1M, H11D2M
H11D3M
4N38M
300
200
80
V CBO
Collector
Base Voltage (1)
MOC8204M
400
V
H11D1M, H11D2M
H11D3M
4N38M
300
200
80
V ECO
Emitter to
Collector Voltage (1)
H11D1M, H11D2M,
7
V
H11D3M,
MOC8204M
I C
Collector Current (Continuous)
All
100
mA
Note:
1. Parameters meet or exceed JEDEC registered data (for 4N38M only).
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
4N38M, H11D1 M, H11D2M, H11D3M, MOC8204M Rev. 1.0.6
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11F2M | OPTOCOUPLER PHOTO FET 6DIP |
| H11G3SR2M | OPTOCOUPLER PHOTODARL HV 6SMD |
| H11L2VM | OPTOCOUPLER SCHMITT-TR VDE 6-DIP |
| H11L3-V | OPTOCOUPLER SCHMITT TRIG 6-DIP |
| H11N2M | OPTOISOLATOR SCHMITT OUT 6-MDIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11D2SVM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:6-PIN DIP, HV TRANS OUTPUT. VDE, SURFACE MOUNT - Bulk |
| H11D2TM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:6-PIN DIP, HV TRANS OUTPUT, 0.4 IN. LEAD BEND - Bulk |
| H11D2TVM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:6-PIN DIP, HV TRANS OUTPUT. VDE, 0+O998.4 IN. LEAD BEND - Bulk |
| H11D2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D2W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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