- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录6511 > H11D3M (Fairchild Optoelectronics Group)PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | H11D3M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 20% @ 2mA |
| 输出电压： | 200V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 80mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
Package Dimensions
Through Hole
8.13–8.89
0.4" Lead Spacing
6
4
6
8.13–8.89
4
6.10–6.60
6.10–6.60
Pin 1
1
3
Pin 1
1
3
5.08 (Max.)
3.28–3.53
0.25–0.36
7.62 (Typ.)
5.08 (Max.)
0.25–0.36
3.28–3.53
0.38 (Min.)
2.54–3.81
0.20–0.30
0.38 (Min.)
2.54–3.81
(0.86)
2.54 (Bsc)
15° (Typ.)
1.02–1.78
0.41–0.51
(0.86)
0.41–0.51
2.54 (Bsc)
0.20–0.30
0.76–1.14
Surface Mount
8.13–8.89
6
6.10–6.60
8.43–9.90
4
1.02–1.78
(1.78)
(7.49)
(10.54)
0.76–1.14
(2.54)
(1.52)
10.16–10.80
Pin 1
1
3
(0.76)
Rcommended Pad Layout
0.25–0.36
3.28–3.53
5.08
(Max.)
0.38 (Min.)
0.20–0.30
(0.86)
0.41–0.51
1.02–1.78
0.76–1.14
Note:
All dimensions in mm.
2.54 (Bsc)
0.16–0.88
(8.13)
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
4N38M, H11D1 M, H11D2M, H11D3M, MOC8204M Rev. 1.0.6
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1555UGY | BOX ABS 7.9X4.7X3.5" GREY |
| 1590WEFL | BOX ALUM 7.40X4.72X3.30" UNPTD |
| SMBJ11CA-E3/52 | TVS BIDIRECT 600W 11V 5% SMB |
| 1590UF | BOX ALUM 4.72X4.72X2.40" UNPTD |
| FODM453R2 | OPTOCOUPLER TRANS HI SPEED 5MFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11D3S | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D3S_Q | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D3SD | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D3SM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Phototrans RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D3SR2M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。