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参数资料
| 型号： | H11G1M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTODARL HV 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 7500Vpk |
| 电流传输比（最小值）： | 500% @ 1mA |
| 输出电压： | 100V |
| 电流 - DC 正向(If)： | 60mA |
| Vce饱和（最大）： | 1V |
| 输出类型： | 有基极的达林顿晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
September 2009
H11G1M, H11G2M, H11G3M
High Voltage Photodarlington Optocouplers
Features
■ High BV CEO
– Minimum 100V for H11G1M
General Description
The H11GXM series are photodarlington-type optically
coupled optocouplers. These devices have a gallium
■
■
■
■
– Minimum 80V for H11G2M
– Minimum 55V for H11G3M
High sensitivity to low input current
(Min. 500% CTR at I F = 1mA)
Low leakage current at elevated temperature
(Max. 100μA at 80°C)
Underwriters Laboratory (UL) recognized
File # E90700, Volume 2
IEC 60747-5-2 approved (ordering option V)
arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon
darlington connected phototransistor which has an inte-
gral base-emitter resistor to optimize elevated tempera-
ture characteristics.
Applications
■ CMOS logic interface
■ Telephone ring detector
■ Low input TTL interface
■ Power supply isolation
■ Replace pulse transformer
Schematic
ANODE 1
CATHODE 2
N/C 3
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11G1M, H11G2M, H11G3M Rev. 1.0.4
6 BASE
5 COLLECTOR
4 EMITTER
Package Outlines
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 37645 | FOAM BLACK COND LEAD INS GRADE |
| OSTHB093180 | CONN TERM BLOCK 9POS 3.81MM |
| OSTHG083080 | CONN TERM BLOCK 5.08MM 8POS PCB |
| OSTTZ060101 | TERM BLOCK RISING CLAMP 6POS |
| OSTTU072150 | TERM BLOCK RISING CLAMP 7POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11G1S | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11G1SD | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11G1SM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11G1SR2M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11G1SR2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Photodarling VDE Certified RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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