参数资料
型号: H11G2M_F132
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 6-DIP
标准包装: 1,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 7500Vpk
电流传输比(最小值): 500% @ 1mA
输出电压: 80V
电流 - DC 正向(If): 60mA
Vce饱和(最大): 1V
输出类型: 有基极的达林顿晶体管
安装类型: 通孔
封装/外壳: 6-DIP(0.300",7.62mm)
包装: 管件
Carrier Tape Specification
12.0 ± 0.1
4.5 ± 0.20
2.0 ± 0.05
?1.5 MIN
0.30 ± 0.05
4.0 ± 0.1
1.75 ± 0.10
11.5 ± 1.0
21.0 ± 0.1
9.1 ± 0.20
24.0 ± 0.3
0.1 MAX
10.1 ± 0.20
?1.5 ± 0.1/-0
User Direction of Feed
Reflow Profile
300
280
260
240
220
200
260 ° C
>245 ° C = 42 Sec
° C
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1.822 ° C/Sec Ramp up rate
33 Sec
Time above
183 ° C = 90 Sec
0
60
120
180
270
360
Time (s)
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11G1M, H11G2M, H11G3M Rev. 1.0.4
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FODM2705R1V OPTOCOUPLER TRANS OUT VDE 4-SMD
937-SP-3044 CONN MOD PLUG 4-4 CLEAR UNSHIELD
A-MO-8/8-SRS-R CONN PLUG MOD 8-8 SHIELDED CAT5
NSP-8-14-01 SCREW NYL PHLL #8-32THREAD 7/8"
NSP-8-12-01 SCREW NYL PHLL #8-32THREAD 3/4"
相关代理商/技术参数
参数描述
H11G2S 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11G2SD 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11G2SM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11G2SR2 制造商:ON Semiconductor 功能描述:OPTO DEVICE-OPTOCOUPLER
H11G2SR2M 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk