参数资料
型号: H11G2M
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 6/9页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER PHOTODARL HV 6DIP
产品目录绘图: Opto 6-DIP Package
标准包装: 1,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 7500Vpk
电流传输比(最小值): 500% @ 1mA
输出电压: 80V
电流 - DC 正向(If): 60mA
Vce饱和(最大): 1V
输出类型: 有基极的达林顿晶体管
安装类型: 通孔
封装/外壳: 6-DIP(0.300",7.62mm)
包装: 管件
产品目录页面: 2759 (CN2011-ZH PDF)
Package Dimensions
Through Hole
8.13–8.89
0.4" Lead Spacing
6
4
6
8.13–8.89
4
6.10–6.60
6.10–6.60
Pin 1
1
3
Pin 1
1
3
5.08 (Max.)
3.28–3.53
0.25–0.36
7.62 (Typ.)
5.08 (Max.)
0.25–0.36
3.28–3.53
0.38 (Min.)
2.54–3.81
0.20–0.30
0.38 (Min.)
2.54–3.81
(0.86)
2.54 (Bsc)
15° (Typ.)
1.02–1.78
0.41–0.51
(0.86)
0.41–0.51
2.54 (Bsc)
0.20–0.30
0.76–1.14
Surface Mount
8.13–8.89
6
6.10–6.60
8.43–9.90
4
1.02–1.78
(1.78)
(7.49)
(10.54)
0.76–1.14
(2.54)
(1.52)
10.16–10.80
Pin 1
1
3
(0.76)
Rcommended Pad Layout
0.25–0.36
3.28–3.53
5.08
(Max.)
0.38 (Min.)
0.20–0.30
(0.86)
0.41–0.51
1.02–1.78
0.76–1.14
Note:
All dimensions in mm.
2.54 (Bsc)
0.16–0.88
(8.13)
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11G1M, H11G2M, H11G3M Rev. 1.0.4
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
H11G2M_F132 功能描述:晶体管输出光电耦合器 High Voltage Photodarlington Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11G2S 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11G2SD 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11G2SM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11G2SR2 制造商:ON Semiconductor 功能描述:OPTO DEVICE-OPTOCOUPLER