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参数资料
| 型号： | H11G2SR2M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTODARL HV 6SMD |
| 产品目录绘图： | Opto 6-SMD Package |
| 标准包装： | 1 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 500% @ 1mA |
| 输出电压： | 80V |
| 电流 - DC 正向(If)： | 60mA |
| Vce饱和（最大）： | 1V |
| 输出类型： | 有基极的达林顿晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2760 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | H11G2SR2MDKR |
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be
operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.
In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
The absolute maximum ratings are stress ratings only.
Symbol
Parameter
Value
Units
TOTAL DEVICE
T STG
T OPR
T SOL
P D
Storage Temperature
Operating Temperature
Lead Solder Temperature (Wave Solder)
Total Device Power Dissipation @ T A = 25°C
Derate Above 25°C
-40 to +150
-40 to +100
260 for 10 sec
260
3.5
°C
°C
°C
mW
mW/°C
EMITTER
I F
V R
I F (pk)
P D
Forward Input Current
Reverse Input Voltage
Forward Current – Peak (1μs pulse, 300pps)
LED Power Dissipation @ T A = 25°C
Derate Above 25°C
60
6.0
3.0
100
1.8
mA
V
A
mW
mW/°C
DETECTOR
V CEO
Collector-Emitter Voltage
H11G1M
H11G2M
H11G3M
100
80
55
V
P D
Photodetector Power Dissipation @ T A = 25°C
Derate Above 25°C
200
2.67
mW
mW/°C
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11G1M, H11G2M, H11G3M Rev. 1.0.4
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 284415-9 | TERM BLOCK RCPT 9POS R/A 3.81MM |
| C10,TRBL | BOX 3.25X2.3X.8 TRANS BLU |
| ALD118 | RELAY GEN PURPOSE SPST 3A 18V |
| 284414-9 | TERM BLOCK RCPT 9POS R/A 3.50MM |
| 1-282838-2 | CONN RCPT 11POS .394 TIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11G2SR2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 High Voltage Photodarlington Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11G2SVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11G2TM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:6-PIN DIP, HV DARL OUTPUT, 0.4 IN. LEAD BEND - Bulk |
| H11G2TVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 High Voltage Photodarlington Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11G2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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