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参数资料
| 型号： | H11N2SR2VM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOISOLATOR SCHMITT OUT 6-SMD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 隔离： | 7500Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 数据速率： | 5MHz |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 100ns |
| 电流 - DC 正向(If)： | 5mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 开路集电极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 供应商设备封装： | 6-SMD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Safety and Insulation Ratings
As per IEC 60747-5-2, this optocoupler is suitable for “safe electrical insulation” only within the safety limit data.
Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of protective circuits.
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Installation Classi?cations per DIN VDE 0110/1.89
Table 1
For Rated Main Voltage < 150Vrms
For Rated Main voltage < 300Vrms
Climatic Classi?cation
Pollution Degree (DIN VDE 0110/1.89)
I-IV
I-IV
55/100/21
2
CTI
Comparative Tracking Index
175
V PR
Input to Output Test Voltage, Method b,
1594
V peak
V IORM x 1.875 = V PR , 100% Production Test
with tm = 1 sec, Partial Discharge < 5pC
Input to Output Test Voltage, Method a,
V IORM x 1.5 = V PR , Type and Sample Test
with tm = 60 sec, Partial Discharge < 5pC
1275
V peak
V IORM
V IOTM
RIO
Max. Working Insulation Voltage
Highest Allowable Over Voltage
External Creepage
External Clearance
Insulation Thickness
Insulation Resistance at Ts, V IO = 500V
850
6000
7
7
0.5
10 9
V peak
V peak
mm
mm
mm
?
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
H11N1M, H11N2M, H11N3M Rev. 1.0.2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11N2SM | OPTOISOLATOR SCHMITT OUT 6-SMD |
| MC100EL04DR2G | IC GATE AND/NAND ECL 2INP 8-SOIC |
| FOD3150V | OPTOCOUPLER GATE DRV 1A 8-DIP |
| FOD3150TS | OPTOCOUPLER GATE DRV 1A 8-SMDIP |
| MC100EL04DR2 | IC GATE AND/NAND ECL 2INP 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11N2SR2VM-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:6 Pin SMT Single Channel High Speed 5 MHz 7500 VAC (Pk) Logic Optocoupler |
| H11N2SVM | 功能描述:高速光耦合器 Optocoupler LC Schmitt Trigger RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| H11N2TM | 功能描述:高速光耦合器 Optocoupler LC Schmitt Trigger RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| H11N2TVM | 功能描述:高速光耦合器 Optocoupler LC Schmitt Trigger RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| H11N2VM | 功能描述:高速光耦合器 Optocoupler LC Schmitt Trigger RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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