- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录223868 > H5MS5162DFR-K3M (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | H5MS5162DFR-K3M |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-60 |
| 文件页数： | 1/62页 |
| 文件大小： | 1314K |
| 代理商： | H5MS5162DFR-K3M |
当前第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for
use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 1.3 / Apr. 2009
1
512Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x16 I/O
Specification of
512Mb (32Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
Memory Cell Array
- Organized as 4banks of 8,388,608 x16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H6101NL | DATACOM TRANSFORMER FOR GENERAL PURPOSE APPLICATION(S) |
| H6E1PC03130001 | 105 CONTACT(S), MULTIWAY RACK AND PANEL CONN, CRIMP, PLUG |
| H6E1PX03130001 | 105 CONTACT(S), MULTIWAY RACK AND PANEL CONN, PLUG |
| H6E2PC03130001 | MULTIWAY RACK AND PANEL CONN, CRIMP, PLUG |
| H6E2PX03130001 | MULTIWAY RACK AND PANEL CONN, PLUG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H5MS5162DFR-L3M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb (32Mx16bit) Mobile DDR SDRAM |
| H5MS5162EFR | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:536,870,912-bit CMOS Low Power Double Data Rate Synchronous DRAM (Mobile DDR SDRAM) |
| H5MS5162EFR-J3M | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM MOBILE DDR 512MB (X16) 60FBGA 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, MOBILE DDR, 512MB (X16), 60FBGA 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, MOBILE DDR, 512MB (X16), 60FBGA, Memory Type:DRAM - Synchronous, Memory C 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, MOBILE DDR, 512MB (X16), 60FBGA, Memory Type:DRAM - Synchronous, Memory Configuration:32M x 16, Memory Case Style:FBGA, No. of Pins:60, IC Interface Type:LVCMOS, Operating Temperature Min:-30C, Operating Temperature Max:85C, , RoHS Compliant: Yes |
| H5MS5162FFR-E3M | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| H5N1503P | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。