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参数资料
| 型号： | HAT1036R |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅P通道功率MOS场效应管电源开关 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | HAT1036R |
HAT1036R
6
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
N
s
γ
50
40
30
20
10
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
10 μ
100 μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
1000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot puse
DM
P
PW
T
D =T
ch – f = 83.3 °C/W, Ta = 25 °C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm)
θ
γ θ
θ
Reverse Drain Current vs.
Souece to Drain Voltage
Pulse Test
-5 V
V = 0
-10 V
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