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参数资料
| 型号： | HAT1047RJ |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅P通道功率MOS FET的高速电源开关 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | HAT1047RJ |
HAT1047R, HAT1047RJ
Rev.5.00, Aug.27.2003, page 8 of 9
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
-10 V
R
L
V
= -10 V
DD
tr
td(on)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
Rg
90%
10%
t
f
Switching Time Test Circuit
Switching Time Waveform
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
100
1000
1000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
DM
P
PW
T
D =T
ch - f = 83.3
°
C/W, Ta = 25
°
C
When using the glass epoxy board
(FR4 40 x 40 x 1.6 mm)
θ
γ θ
θ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
s
γ
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PDF描述 |
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