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参数资料
| 型号： | HAT1048R |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel Power MOS FET(P沟道功率MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道功率MOS FET性（P沟道功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | HAT1048R |
HAT1048R
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
-30
V
Gate to source voltage
± 20
V
Drain current
-16
A
Drain peak current
Note1
-128
A
Body-drain diode reverse drain current I
DR
Channel dissipation
-16
A
Pch
Note2
2.5
W
Channel to Ambient Thermal
Impedance
t
ch-a
Note2
50
°C/W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Note:
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW
≤
10s
Tstg
– 55 to + 150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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