- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录371778 > HCPL-3180-060 Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HCPL-3180-060 |
| 英文描述： | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| 中文描述： | 当前，高速式IGBT / MOSFET的门极驱动光电耦合器 |
| 文件页数： | 6/19页 |
| 文件大小： | 466K |
| 代理商： | HCPL-3180-060 |
6
Electrical Specifications (DC)
Over recommended operating conditions unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Test Conditions
Fig
Note
High Level Output Current
I
OH
0.5
A
V
O
= (V
CC
-4 V)
2, 3
5
2.0
A
V
O
= (V
CC
-10 V)
17
2
Low Level Output Current
I
OL
0.5
A
V
O
= (V
EE
+2.5 V)
5, 6
5
2.0
A
V
O
= (V
EE
+ 10 V)
18
2
High Level Output Voltage
V
OH
V
CC
- 4
V
I
O
= -100 mA
1, 3
19
6, 7
Low Level Output Voltage
V
OL
0.5
V
I
O
= 100 mA
4, 6
20
High Level Supply Current
I
CCH
3.0
6.0
mA
Output Open
I
F
= 10 to 16 mA
7, 8
Low Level Supply Current
I
CCL
3.0
6.0
mA
Output Open
VI
F
= -3.0 to 0.8 V
9,
15,
21
Threshold Input Current Low to High
I
FLH
8.0
mA
I
O
= 0 mA
V
O
> 5 V
Threshold Input Voltage High to Low
V
FHL
0.8
V
I
F
- 10 mA
16
Input Forward Voltage
V
F
1.2
1.5
1.8
V
Temperature Coefficient of Forward Voltage
D
V
F
/
T
A
-1.6
mV/°C
UVLO Threshold
V
UVLO+
7.9
V
V
O
> 5 V
I
F
= 10 mA
22,
34
V
UVLO-
7.4
V
UVLO Hysteresis
UVLO
HYST
0.5
V
Input Reverse Breakdown Voltage
BV
R
5
V
I
R
= 10 uA
Input Capacitance
C
IN
60
pF
f = 1 MHz,
V
F
= 0 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCPL-3180-300 | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| HCPL-3180-500 | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| HCPL-3180 | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| HCPL3180 | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| HCPL-354 | AC Input Phototransistor Optocoupler SMD Mini-Flat Type |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HCPL-3180-060E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-300 | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-300E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-360 | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-360E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。