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参数资料
| 型号： | HCT-7 |
| 元件分类： | 通用定值电感 |
| 英文描述： | 1 ELEMENT, 75 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | HCT-7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HCTS245KTR/SAMPLE | HCT SERIES, 8-BIT TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDFP20 |
| HD14053BFP | TRIPLE 2-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, PDSO16 |
| HD404449H | MROM, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HCT70 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Optoelectronic |
| HCT700 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/PNP Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| HCT7000 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N- Channel En hance ment Mode MOS Transistor |
| HCT7000M | 功能描述:MOSFET N-Chan Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HCT7000MTX | 功能描述:MOSFET N- Channel enhancement mode transisitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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