- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18132 > HCT7000M (TT Electronics/Optek Technology)MOSFET N-CH 60V 200MA SMD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HCT7000M |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200MA SMD |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3.18mm x 2.67mm x 1.37mm |
| 包装： | 散装 |
Types HCT7000M, HCT7000MTX, HCT7000MTXV
Electrical Characteristics (T A = 25 o C unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN MAX UNITS
TEST CONDITION
V DSS
Drain-Source Voltage
60
V
V GS = 0 V, I D = 10 μ A
V GS(TH)
Gate Threshold Voltage
.8
3.0
V
V DS = V GS , I D = 1 mA
μ
I GSS
I DSS
I D(ON)
R DS(ON)
V DS(ON)
G fs
C iss
C oss
C rss
t(on)
t (off)
Gate Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current
Drain-Source on-Resistance
Drain-Source on-Voltage
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Time
Turn-off Time
75
100
± 10
1
5
2.5
60
25
5
10
10
nA
A
mA
?
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V DS = 0 V, V GS = ± 15 V
V GS = 0 V, V DS = 48 V
V DS = 10 V, V GS = 4.5 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 A
V GS = 10 V, I D = 0.5 A
V DS = 10 V, I D = 0.2 A
V DS = 25 V, V GS = 0 V, f = 1MHz
V DD = 15 V, I D = 0.5 A, V gen = 10 V, R g = 25 ?
Optek reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Optek Technology, Inc. 1215 W. Crosby Road Carrollton, Texas 75006
15-37
(972)323-2200
Fax (972)323-2396
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32361A2506J50 | PEC MKP 50 UF 250 V |
| 5666AB1V | SWITCH TOGGLE MINI |
| FXO-PC530-800 | OSC 800 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B233J60Z3Q22P | SWITCH ROCKER DPDT 6A 125V |
| B25832F4105K1 | MKV CAPACITOR 1UF 640V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HCT7000MTX | 功能描述:MOSFET N- Channel enhancement mode transisitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HCT7000MTXV | 功能描述:MOSFET N- Channel enhancement mode transisitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HCT700TX | 功能描述:两极晶体管 - BJT 6 Pin SMT NPN/PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| HCT700TXV | 功能描述:两极晶体管 - BJT 6 Pin SMT NPN/PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| HCT720 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | LLCC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。