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参数资料
| 型号： | HCT700 |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SWITCHING TRANSISTORS IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
| 中文描述： | 800 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | HCT700 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HD00CFY | TRANSISTOR OUTPUT SOLID STATE RELAY |
| HD14066BP | QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDIP14 |
| HD155008T | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 1100 MHz, PDSO20 |
| HD63A03RCG | 8-BIT MICROCONTROLLER |
| HD63A03RCP | 8-BIT MICROCONTROLLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HCT7000 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N- Channel En hance ment Mode MOS Transistor |
| HCT7000M | 功能描述:MOSFET N-Chan Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HCT7000MTX | 功能描述:MOSFET N- Channel enhancement mode transisitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HCT7000MTXV | 功能描述:MOSFET N- Channel enhancement mode transisitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HCT700TX | 功能描述:两极晶体管 - BJT 6 Pin SMT NPN/PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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